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Sumitomo startet 150mm GaN-on-SiC-Produktion mit Planetenanlage von AIXTRON





AIXTRON SE (FSE: AIXA; OTC: AIXNY), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass der japanische Konzern Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI) eine Anlage des Typs AIX G5+ mit einer Konfiguration von 8×6-Zoll zur Ausweitung seiner Produktion von Hochfrequenz (HF)-Bauelementen auf GaN-on-SiC-Basis (Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid) bestellt hat. Diese werden vor allem für drahtlose Anwendung wie Radar, Satellitenkommunikation und Basisstationen für die schnell wachsenden 5G Mobilfunknetzwerke benötigt. Die Auslieferung der Anlage ist für 2019 vorgesehen.

SEDI setzt bei der Herstellung von 4-Zoll-Epitaxiewafern aus Galliumnitrid (GaN) bereits erfolgreich auf die Showerhead-Technologie von AIXTRON. Der fortschreitende Ausbau von 5G-Netzwerken, aber auch die Einführung neuer Technologien wie Beamforming, soll zu einer raschen Nachfragebelebung führen und durch die Einführung von effizienteren 6-Zoll-Substraten für Hochfrequenz-Anwendungen auf den bewährten Planetensystemen von AIXTRON unterstützt werden.

Mit der Wahl der AIX G5+ und dem damit einhergehenden Wechsel auf die AIXTRON MOCVD-Planetentechnologie setzt SEDI auf das marktführende Produktionssystem der Branche für GaN-basierte Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (High Electron Mobility Transistors, HEMTs), die nicht nur hervorragende Prozessausbeuten garantiert, sondern auch die niedrigsten Betriebskosten des Marktes ermöglicht. Die Anlage besitzt einen exzellenten Ruf für die Homogenität der Wafer sowie die präzise Prozesskontrolle, was besonders wichtig für die Bauelemente-Produktion auf kostenintensiven Siliziumkarbid-Wafern ist. Die neue Prozesskammer ist mit einem EpiCurve TT-Messsystem sowie mit Auto-Feed Forward und P400 UV-Pyrometer-Temperaturregelung ausgestattet.

Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. verfügt in der Industrie aufgrund seines Portfolios leistungsfähiger HF-Komponenten über hohes Ansehen. Das Unternehmen bietet bereits eine Reihe von GaN HEMTs für Radar, Mobilfunk-Basisstationen und allgemeine Anwendungen an. Diese GaN-on-SiC HEMT-Bauelemente ermöglichen eine hohe Leistungsverstärkung bei Betriebsfrequenzen von 28-40 GHz und darüber hinaus, wie es u.a. die neuen 5G-Kommunikationsstandards erfordern.

Über Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI)

SEDI ist ein Tochterunternehmen von Sumitomo Electric und produziert eine große Bandbreite von Produkten von Lichtwellenleitern, Kabeln und Komponenten bis hin zu Elektronikbauteilen und Kfz-Teilen. Aufgrund effektiver Forschung und Diversifizierung gehört Sumitomo Electric zu den weltweit führenden Unternehmen in der Informations- und Kommunikationstechnologie. Das Unternehmen ist in über 30 Ländern tätig und beschäftigt mehr als 270.000 Mitarbeiter. Sumitomo Electric vermeldete für das im März 2019 zu Ende gegangene Geschäftsjahr Umsätze in Höhe von rund USD 29 Mrd.

Weitere Informationen sind unter www.sedi.co.jp verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie “können”, “werden”, “erwarten”, “rechnen mit”, “erwägen”, “beabsichtigen”, “planen”, “glauben”, “fortdauern” und “schätzen”, Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben  die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Die AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und Europa. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise LED- und Displaytechnologie, Datenübertragung, SiC- und GaN Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, APEVA®, Atomic Level SolutionS®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap?, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, TriJet®

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Kurz-URL: https://www.88finanz.de/?p=1776158





Erstellt von an Dez 3 2019. geschrieben in Allgemein. Sie können allen Kommentaren zu diesem Artikel folgen unter RSS 2.0. Sie können einen Kommentar schreiben oder einen trackback setzen zu diesem Artikel

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